Per klausimų ir atsakymų sesiją, vykusią GPU technologijų konferencijoje, „Nvidia“ generalinis direktorius Jensenas Huangas apskaičiavo, kad perėjus prie GAA (Gate All Arround) tranzistorių architektūros našumas padidės maždaug 20 proc.
„Nvidia“ vadovo komentarai iš anksto parodo, kokie yra bendrovės lūkesčiai dėl būsimų grafikos lustų dizaino. Puslaidininkių gamintojai, tokie kaip TSMC ir „Intel“, GAA tranzistorius įvardijo kaip pagrindinę technologiją, kuri bus naudojama pažangesniuose nei 3 nm techprocesuose.
Naujausiuose litografijose, įskaitant 3 nm, naudojama FinFET – struktūra, kurioje tranzistoriaus vartai iš trijų pusių supa srovės kanalą. Tačiau pažangiuose mazguose mažėjant ir tankėjant tranzistoriams, vis didesnį susirūpinimą kelia elektros nuotėkis.
GAA šią problemą sprendžia vertikaliai sudėliodama srovės kanalus, taip padidindama bendrą kanalo plotą ir kartu leisdama užtvarams apsupti kanalus iš visų keturių pusių. Nors šis metodas yra brangesnis, jis padidina našumą ir energijos vartojimo efektyvumą.
Būsimame „Intel“ 18A techprocese GAA bus įdiegta su „Panther Lake“ nešiojamųjų kompiuterių procesoriais ir „Clearwater Forest“ serverių procesoriais vėliau šiais metais.
TSMC planuoja pritaikyti GAA savo 2 nm N2 technologiniame procese, kurio kūrimas artėja prie pabaigos ir kuris turėtų debiutuoti su „iPhone 18 Pro“ A20 SoC 2026 m. pabaigoje.
