Pietų Korėjos milžinė „Samsung“ praneša, kad sugebėjo rinkai tiekti 1 milijoną 10 nm DDR4 atminties, kuri buvo pagaminta naudojant EUV litografiją. Naudojant EUV gamybos metodą bus formuojama atminties technologijų ateitis. Tai leis gamintojams atsisakyti tam tikrų procedūrų, o tuo pačiu padidins gamybos tikslumą.
„Samsung“ EUV litografija taip pat leis padidinti atminties spartą, o tuo pačiu padidinti sveikų lustų kiekį iš silicio plokštės ir sumažinti kūrimo kaštus. Didžiausius „Samsung“ laimėjimus su EUV litografija pamatysime, kai startuos 10 nm D1a klasės DRAM gamybos metodas.
„Samsung“ tikisi, kad naudojant savo D1a technologiją 2021
metais galės gaminti DDR5/LDDR5 atmintį. Būtent sekančiais metais kompiuterių
industrija turėtų pradėti naudoti DDR5 atmintį. Asmeniniams kompiuteriams bus
skirta DDR5, o mobiliam segmentui LDDR5 atmintis.
Iš senesnių AMD planų žinome, kad 2021 metų gale turėtų būti
išleidžiami „Genoa“ EPYC procesoriai su „Zen 4“ architektūra. Būtent „Zen 4“
turėtų naudoti DDR5 atmintį. AMD DDR5 atmintį pradėjus naudoti ir asmeniniuose
kompiuteriuose turėtume sulaukti naujos AM5 platformos. Tai tuo pačiu tai bus
AM4 lizdo gyvavimo pabaiga.
