Korėjos technologijų bendrovė „SK hynix“ paskelbė baigianti kurti naujos kartos UFS 4.1 atminties modulius, kurie pagrįsti pasaulyje pažangiausia 321 sluoksnio 3D NAND technologija.
Šiuos itin kompaktiškus ir galingus modulius bendrovė ketina siūlyti kaip sprendimą flagmanų klasės išmaniesiems telefonams, kurių vis daugiau tampa priklausomi nuo spartesnės, efektyvesnės ir dirbtinio intelekto sistemoms pritaikytos atminties.
Gamintojo teigimu, naujieji UFS 4.1 moduliai specialiai optimizuoti dirbtinio intelekto užduotims, jie sukurti taip, kad galėtų patikimai veikti net ir sudėtingiausiose apkrovose, tuo pačiu sunaudodami mažiau energijos.
Lyginant su ankstesnės kartos moduliais, kuriuose buvo naudojami 238 sluoksnių NAND lustai, naujieji komponentai užtikrina 7 proc. didesnį energinį efektyvumą. Be to, jų fizinis storis sumažintas nuo 1 mm iki 0,85 mm, o tai reikšmingas privalumas kuriant dar plonesnius išmaniuosius įrenginius.
Sparta yra dar vienas esminis parametras, kuriuo „SK hynix“ išsiskiria. Naujosios atminties komponentai gali pasiekti iki 4300 MB/s nuoseklaus skaitymo greitį, o tai aukščiausias rezultatas tarp visų ketvirtos kartos UFS atminties modulių.
Tuo tarpu atsitiktinio skaitymo ir rašymo greičiai padidinti atitinkamai 15 proc. ir net 40 proc., o tai itin svarbu greitai vykdant kelias užduotis vienu metu, ypač įrenginiuose, kuriuose veikia dirbtinio intelekto algoritmai ir realiuoju laiku apdorojami duomenys.
„SK hynix“ patvirtino, kad masinę naujųjų UFS 4.1 modulių gamybą planuoja pradėti 2026 metų pirmąjį ketvirtį. Jie bus siūlomi dviejų talpų, 512 GB ir 1 TB, versijomis. Tikimasi, kad šie moduliai taps vienu pagrindinių komponentų naujos kartos išmaniuosiuose telefonuose, kurių našumo kartelė kasmet kyla vis aukščiau.
