Praėjusių metų spalio antroje pusėje buvo pristatytas „Qualcomm“ mikroschemų rinkinys, kurį naudos daugelis 2025 metų aukščiausios klasės išmaniųjų telefonų. Tai – „Snapdragon 8 Elite“.
JAV bendrovės atstovai savo naująjį šedevrą nusprendė pavadinti ne „Snapdragon 8 Gen 4“, o „Qualcomm Snapdragon 8 Elite“. Verta pastebėti, jog naujasis „Qualcomm“ lusto pavadinimas dera prie „Snapdragon X Elite“ lustų, kurie yra skirti nešiojamiems kompiuteriams.
Jau rugsėjo pabaigoje laukiama ir naujos kartos „Qualcomm“ flagmano. Iki šiol buvo spėjama, kad jis bus žinomas kaip „Snapdragon 8 Elite 2“, tačiau naujausia informacija rodo, jog pavadinimas gali būti visiškai kitoks.
Šaltiniai Kinijoje skelbia, jog aukščiausios klasės lustas debiutuos kaip „Snapdragon 8 Elite Gen 5“. Dar nepristatytas mikroschemų rinkinys buvo pastebėtas ir „AnTuTu“ platformoje, kur užfiksuoti rekordiniai rezultatai.
Naujasis „Qualcomm“ lustas „AnTuTu v11“ testuose renka maždaug 4,2 – 4,4 mln. taškų. Tai yra aukščiausias kada nors užfiksuotas rezultatas išmaniųjų telefonų segmente.
Galingiausias „Qualcomm“ lustas naudos antros kartos „Oryon“ architektūrą. „Geekbench“ platformoje šis mikroschemų rinkinys rinko 4 000 taškų vieno branduolio ir daugiau nei 11 tūkst. taškų kelių branduolių testuose.
Palyginimui, pirmosios kartos „Snapdragon 8 Elite“ surinkdavo apie 3100 ir 9800 taškų, tad naujasis modelis žada žymiai didesnį našumą. Platforma taip pat turės 16 MB GMEM spartinančiąją atmintį ir atnaujintą „Adreno 840“ vaizdo plokštę.
Neoficialiais duomenimis, „Snapdragon 8 Elite Gen 5“ turės 2+6 branduolių struktūrą, o maksimalus dažnis sieks net 5 GHz. Tai reikšmingas patobulinimas lyginant su ankstesniu modeliu. Procesorius bus gaminamas pasitelkiant TSMC trečiosios kartos 3 nm technologiją. Bazinis dažnis bus 4,4 GHz.
