Pietų Korėjos milžinė „Samsung“ neseniai pristatė naujuosius LPDDR5X operatyviosios DRAM atminties lustus, pasižyminčius geresniu našumu, didesne talpa ir gerokai mažesnėmis energijos sąnaudomis.
Bendrovė nuolat tobulina savo turimas technologijas, o dabar pranešė apie naujus devintos kartos vertikaliųjų NAND atminties lustų gamybą. „Samsung“ atskleidė, jog pagaliau yra pradėta tokių mikroschemų masinė gamyba.
Naujos kartos atminties lustai pasižymės 50 proc. didesniu bitų tankiu nei aštuntos kartos mikroschemos. Be to, 9-osios kartos gaminiai palaiko naują NAND flash sąsają, vadinamą „Toggle 5.1“, kuri užtikrina iki 3,2 Gb/s duomenų perdavimo spartą, t. y. 33 proc. didesnę nei ankstesnės kartos.
Be viso to, naujieji lustai yra 10 proc. efektyvesni energijos atžvilgiu. Verta pažymėti ir tai, jog čia „Samsung“ panaudojo tokias naujoves kaip ląstelių trukdžių išvengimas ir pailgintas ląstelių gyvavimo laikas. Be to, bendrovė pritaikė savo pažangią kanalų skylučių ėsdinimo technologiją, kuri padeda padidinti našumą gamykloje.
Naujieji greitesni ir talpesni „Samsung“ sukurti V-NAND lustai bus naudojami tokiuose produktuose kaip didelio našumo SSD diskai. Siekdama išnaudoti visą papildomą spartą, „Samsung“ planuoja išplėsti PCIe 5.0 palaikymą.
